股票代码
688383
ALD设备
前驱体脉冲注入:将第一种气相前驱体(如三甲基铝)脉冲式通入反应室，吸附在基底表面的活性位点上。
惰性气体吹扫:用氮气等惰性气体清除未反应的前驱体和副产物，确保反应室清洁。
第二种前驱体反应物脉冲注入:通入第二种前驱体(如水蒸气或臭氧)，与已吸附的第一种前驱体发生化学反应，生成目标薄膜材料(如氧化铝)。
再次吹扫:清除剩余反应物和副产物，完成一个沉积循环。
通过重复上述步骤，薄膜厚度可通过控制循环次数精确调节，实现原子级精度(通常为0.1-0.3纳米/循环)。
产品分类：
真空设备
- 产品描述
-
设备特点
- 高精度膜厚控制:薄膜厚度与循环次数相关，误差可控制在原子级别。
- 优异均匀性:可在大面积基底上实现较好的均匀性薄膜。
- 卓越保形性:对复杂三维结构(如深孔、台阶)的覆盖率接近100%，适用于高深宽比器件。
- 低温工艺兼容性:沉积温度通常低于300℃，可处理热敏感材料。
- 材料多样性:可沉积金属(如铝、钛、铜)、氧化物(如氧化铝、氧化锡、氧化锌、氧化钛、氧化铪、氧化硅)、氮化物(如氮化钛)等多种薄膜。
规格参数
本底真空度 <5x10-1Pa 沉积温度 RT~400°C 加热系统 可加热温度范围:RT~150°C 设备参数
前驱体路数 最大支持6路前驱体气路(可定制) 反应物路数 支持2路反应物气路(可定制) 载气 标准:N2,MFC流量控制(可定制) 真空系统 标准干泵 控制方式 PLC+工控机+触摸屏 基片尺寸 1200x600mm、1200x2400mm等
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