多腔室溅射设备

真空环境下通入惰性气体(如氩气)，在电场作用下气体电离形成等离子体; 磁场约束电子轨迹，增强电离效率，提高溅射速率; 氩离子轰击靶材，靶材原子被溅射出并沉积在基材表面，形成薄膜; 低温成膜，适用于热敏感材料。溅射靶材:多腔室可配置多个磁控靶位; 反应溅射:在化合物薄膜沉积过程中动态调整反应气体流量(如SiO2制备中O2流量从0%逐步升至100%); 交替沉积:通过腔室切换实现多层结构(如制备SiO₂、Nb₂O₅、Si₃N₄、SiH₄、AF等膜层)。

产品分类：

真空设备

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产品描述

设备特点

多腔室独立设计，实现复杂工艺集成;
磁场优化与靶材设计，提升沉积效率与均匀性;
高真空与低温沉积技术，拓展材料适用性;
智能化控制与工艺数据库，保障稳定性与可重复性:
模块化与可定制化设计，满足多样化需求;
高效靶材利用与低维护成本。

规格参数

型号	XH-MS1650	XH-MS2550
镀膜区域mm	Φ1650*H750	Φ2550*H1800
进出料室mm	W1280D2135H1600	W780D1600H2400
成膜室mm	Φ1800*H1450	Φ2700*H2350
装载量	≥3㎡	≥14㎡

设备参数

工件转动	1~120r/min无极可调
极限真空	<2.0Ex10^-4Pa
进出室抽速	\|大气压至10Pa≤5min
成膜室抽速	5.0 x 10^-3 Pa≤15min

制膜种类	可制备金属膜、化合物膜、陶瓷膜等
溅射源	旋转阴极、直流、中频
腔室数量	4腔室
真空室结构	弧形室门+箱式腔体
真空系统	机械泵组合+分子泵
控制方式	全自动制程，一键式操作
注	ICP石墨靶阻蒸等可根据客户需求增加定制