单腔室溅射设备

真空环境建立：首先通过真空系统将腔体抽至高真空状态(通常优于5x10-4Pa)，以减少气体分子对溅射粒子的散射，确保膜层纯净。等离子体产生：向腔体内通入氩气等惰性气体，施加高压电场(中频或射频)，使气体电离形成等离子体，产生Arr离子和电子。磁场约束电子：在靶材附近设置磁场，使电子受洛伦兹力作用做螺旋运动，延长其在靶材附近的停留时间，提高电离效率，形成高密度等离子体区域。靶材溅射与薄膜沉积：高能Ar离子轰击靶材表面，使靶材原子脱离并飞向基片，在基片表面沉积形成薄膜。

产品分类：

真空设备

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产品描述

设备特点

高效沉积：磁场约束显著提高了等离子体密度，使溅射速率远高于传统溅射方法。
低温成膜：电子能量主要用于电离而非加热基片，基片温升低，适用于塑料、半导体等对温度敏感的材料。
膜层质量优异：所得薄膜致密、均匀，与基片结合力强，成分接近靶材，适合高性能功能薄膜制备。
适用材料广泛：可溅射金属、合金、陶瓷、氧化物等多种材料，支持反应溅射制备化合物薄膜(如氮化物、氧化物)。

规格参数

型号	XH-CS1800	XH-CS2500
镀膜区域	Φ1800 x H1400mm	Φ2500 x H1550mm
装载量	>8㎡	≥12㎡
结构	立式前开门，SUS304不锈钢	单双开门，SUS304不锈钢

设备参数

极限真空	2.5x10^-4Pa
排气时间	大气-4.0x10-Pa/15min/常温空载
基板温度	最高150°C

真空室结构	弧形室门+箱式腔体
工件架	多片挂架式装配结构
溅射源	旋转阴极、直流、中频5-6对
真空系统	机械泵+分子泵/低温泵/+深冷捕集泵
设备控制	全自动制程，一键式操作
注	ICP阻蒸等可根据客户需求增加定制