HAD810RJ
产品分类:
产品分类02
- 产品描述
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规格参数
1.系统功能/System Function
生产周期/Production Cycle
240 ms(取决于晶片与框架)(Depending On Die Size And Holder)
固晶精度/Accuracy
±38μm
晶片旋转/Die Rotation
±3°
2.晶片XY工作台/Die XY Workbench
晶片尺寸/Die Dimensions
8mil×8mil40mil×40mil
(0.2mm*0.2mm-1mm*1mm)
晶片最大角度修正/Max. Angle Correction
±15°
适用晶片铁环尺寸/Max. Die Ring Size
外径(External Diameter):296mm 内径(Inner Diameter):254mm
最大晶圆面积尺寸/Max. Die Area
8″(Expanded)直径200mm
分辨率X/Resolution X
0.04mil (1μm)
分辨率Y/Resolution Y
0.04mil (1μm)
顶针Z高度行程/Thimble Z Height Stroke
3mm
3.图像识别系统/Image Recognition System
灰阶度/Grey Scale
256级灰度(Level Grey)
分辨率/Resolution
720×540像素(Pixels)
8.温度/Temperature
常温~500℃
4、吸晶邦头机械手系统/Die Bonder’s Swing Arm-and-hand system
直线邦头/Die Bonder
直线电机往复固晶/linear motor reciprocate die bonding
吸晶压力/Die Bond Pressure
force为0.3~3N (±0.05N)
5.适用支架尺寸/Suitable Holder’s Size
支架长度/Length
料卷式
支架宽度/Width
25mm ~ 100mm
支架厚度/Thickness
0.1 ~ 0.35mm
6.所需设施/Facilities Needed
电压/频率/Voltage/Frequency
220V AC±5%/50HZ
压缩空气/Compressed Air
0.5MPa(MIN)
额定功率/Rated Power
3600W(恒温)
耗气量/Gas Consumption
7L/min
适用铁环/晶圆Suitable Iron ring/ wafer
标配 10寸铁环8寸晶圆/Standard Equipped with 10″Iron Ring and 8″Wafer
可兼容 8寸铁环6寸晶圆/Compatible with 8″Iron Ring and 6″Wafer
7.体积及重量/Volume and Weight
长x宽x高/Length x Width x Height
310×140×200m(总长包含裁切,高含三色灯)(参考)
重量/Weight
1550kg(参考)
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